ແຜ່ນໃສ່ເຊລາມິກສໍາລັບການຂັດຮຸກຮານ

Silicon Carbide (SiC)

Silicon carbide ຖືກສ້າງຕັ້ງຂຶ້ນໃນສອງວິທີ, ການຜູກມັດຕິກິຣິຍາແລະການ sintering.ແຕ່ລະວິທີການສ້າງຜົນກະທົບຢ່າງຫຼວງຫຼາຍຕໍ່ໂຄງສ້າງຈຸນລະພາກ.

ປະຕິກິລິຍາຜູກມັດ SiC ແມ່ນເຮັດໄດ້ໂດຍການແຊກຊຶມຂອງກະຊັບທີ່ເຮັດດ້ວຍສ່ວນປະສົມຂອງ SiC ແລະຄາບອນກັບຊິລິຄອນແຫຼວ.ຊິລິຄອນປະຕິກິລິຍາກັບຄາບອນທີ່ປະກອບເປັນ SiC ຫຼາຍຂຶ້ນເຊິ່ງຜູກມັດອະນຸພາກ SiC ເບື້ອງຕົ້ນ.

Sintered SiC ແມ່ນຜະລິດຈາກຜົງ SiC ບໍລິສຸດດ້ວຍຕົວຊ່ວຍ sintering ທີ່ບໍ່ແມ່ນອອກໄຊ.ຂະບວນການກອບເປັນຈໍານວນເຊລາມິກແບບດັ້ງເດີມຖືກນໍາໃຊ້ແລະວັດສະດຸຖືກ sintered ໃນບັນຍາກາດ inert ຢູ່ທີ່ອຸນຫະພູມສູງເຖິງ 2000ºC ຫຼືສູງກວ່າ.

ທັງສອງຮູບແບບຂອງ silicon carbide (SiC) ແມ່ນທົນທານຕໍ່ການສວມໃສ່ສູງດ້ວຍຄຸນສົມບັດກົນຈັກທີ່ດີ, ລວມທັງຄວາມເຂັ້ມແຂງຂອງອຸນຫະພູມສູງແລະການຕໍ່ຕ້ານຄວາມຮ້ອນ.ວິສະວະກອນຂອງພວກເຮົາມີຢູ່ສະເຫມີເພື່ອໃຫ້ຄໍາແນະນໍາທີ່ດີທີ່ສຸດແກ່ທ່ານກ່ຽວກັບຈຸດແຂງແລະຈຸດອ່ອນຂອງແຕ່ລະເຊລາມິກສໍາລັບຄວາມຕ້ອງການສະເພາະຂອງທ່ານ.

ຄຸນລັກສະນະຂອງ silicon carbide ທົ່ວໄປປະກອບມີ:

•ຄວາມຫນາແຫນ້ນຕ່ໍາ

•ມີຄວາມເຂັ້ມແຂງສູງ

• ຄວາມແຮງຂອງອຸນຫະພູມສູງທີ່ດີ (ປະຕິກິລິຍາຜູກມັດ)

• ຕ້ານການອອກຊິເດຊັນ (ຕິກິຣິຍາຜູກມັດ)

•ທົນທານຕໍ່ຄວາມຮ້ອນທີ່ດີເລີດ

•ຄວາມແຂງສູງແລະທົນທານຕໍ່ການສວມໃສ່

•ທົນທານຕໍ່ສານເຄມີທີ່ດີເລີດ

•ການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນຕ່ໍາແລະການນໍາຄວາມຮ້ອນສູງ

ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ silicon carbide ທົ່ວໄປປະກອບມີ:

• ແກ້ໄຂ ແລະເຄື່ອນຍ້າຍອົງປະກອບ turbine

•ປະທັບຕາ, bearings, pump vanes

• ພາກສ່ວນວາວບານ

• ໃສ່ແຜ່ນ

•ເຄື່ອງເຟີນີເຈີເຕົາເຜົາ

•ເຄື່ອງແລກປ່ຽນຄວາມຮ້ອນ

•ອຸປະກອນປຸງແຕ່ງ wafer semiconductor

ສໍາລັບຂໍ້ມູນເພີ່ມເຕີມກ່ຽວກັບ silicon carbide ຂອງພວກເຮົາແລະວິທີການນີ້ສາມາດໄດ້ຮັບການນໍາໃຊ້ສໍາລັບຜະລິດຕະພັນຂອງທ່ານ, ຕິດຕໍ່ພວກເຮົາໃນມື້ນີ້